જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન $n=3$ થી $n=2$ માં સંક્રમણ કરે ત્યારે ઉત્સર્જિત પ્રકાશ એક ધાતુ પર આપાત થાય છે, ત્યારે તે ધાતુમાંથી ફોટોઇલેક્ટ્રોન માંડ ઉત્સર્જિત થાય છે. નીચેનામાંથી કયા સંક્રમણ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર શક્ય નથી?

આપેલ સપાટી માટે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વચ્ચેના આલેખનો ઢાળ કેટલો હશે?

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:k$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

પદાર્થ $A$ માં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર જોવા મળે છે. તેનું કાર્ય વિધેય $2.5 \ eV$ છે અને થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. અન્ય પદાર્થ $B$ નું કાર્ય વિધેય $5 \ eV$ છે. $B$ માં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ શોધો.

એક પદાર્થ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5200 \, \mathring{A}$ છે. જ્યારે આ પદાર્થને નીચેનામાંથી કયા એકરંગી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $(\lambda / 3)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $4$ ગણી હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશની ઝડપ)