કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે અને જ્યારે હવા માધ્યમ તરીકે હોય ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $C_1$ છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $\frac{2d}{3}$ જાડાઈની અને પ્લેટ જેટલા જ ક્ષેત્રફળવાળી ધાતુની શીટ મૂકવામાં આવે,તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_2$ થાય છે. ગુણોત્તર $\frac{C_2}{C_1}$ કેટલો થશે ($:1$ માં)?

એક સમાંતર પ્લેટ હવા કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $10 \ \mu F$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે,જો આ કેપેસિટરને બે સમાન ભાગોમાં વિભાજિત કરવામાં આવે અને આ ભાગોને $K_1 = 2$ અને $K_2 = 4$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમોથી ભરવામાં આવે,તો આ ગોઠવણીનું કેપેસિટન્સ ............. $\mu F$ થશે.

બે ધાતુની પ્લેટો એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. $\frac{d}{2}$ જાડાઈની અને દરેક પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું જ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક ધાતુની શીટ પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. કેપેસિટરના નવા કેપેસિટન્સ અને મૂળ કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર શું હશે?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ emf ધરાવતા સેલ સાથે જોડવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને દૂર કરવામાં આવે છે. હવે તેમાં $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,જે કેપેસિટરની હવાના ગાળાને સંપૂર્ણપણે ભરી શકે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $K = 4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થની જાડાઈ $x$ છે,જ્યાં $x < d$ છે.
ધારો કે $x = \frac{d}{3}$ અને $x = \frac{2d}{3}$ માટે સિસ્ટમનું કેપેસીટન્સ અનુક્રમે $C_1$ અને $C_2$ છે. જો $C_1 = 2 \mu F$ હોય,તો $C_2$ નું મૂલ્ય $........... \mu F$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી સાથે અવરોધરહિત સર્કિટમાં જોડવામાં આવે છે જ્યાં સુધી કેપેસિટર સંપૂર્ણ ચાર્જ ન થાય. ત્યારબાદ બેટરીને સર્કિટમાંથી દૂર કરવામાં આવે છે અને ઇન્સ્યુલેટેડ ગ્લવ્સનો ઉપયોગ કરીને કેપેસિટરની પ્લેટોને તેમની મૂળ અંતર કરતા અડધા અંતરે ખસેડવામાં આવે છે. ધારો કે $V_{new}$ એ પ્લેટો ખસેડ્યા પછી કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત છે અને $V_{old}$ એ જ્યારે તે બેટરી સાથે જોડાયેલું હતું ત્યારે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત છે. ગુણોત્તર $\frac{V_{new}}{V_{old}}$ શોધો.