अवक्षय परत (depletion layer) का विद्युत प्रति | vedclass

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Question

(A) $PN$ जंक्शन पर इलेक्ट्रॉनों और होलों के विसरण (diffusion) के कारण अवक्षय परत का निर्माण होता है। यह प्रक्रिया $n$-पक्ष पर स्थिर धनात्मक आयनों और $

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इसमें कोई आवेश वाहक नहीं होते हैं

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(A) $PN$ जंक्शन पर इलेक्ट्रॉनों और होलों के विसरण (diffusion) के कारण अवक्षय परत का निर्माण होता है। यह प्रक्रिया $n$-पक्ष पर स्थिर धनात्मक आयनों और $p$-पक्ष पर स्थिर ऋणात्मक आयनों को छोड़ देती है। चूंकि ये आयन क्रिस्टल जालक में स्थिर होते हैं और गति नहीं कर सकते,इसलिए अवक्षय परत प्रभावी रूप से मुक्त आवेश वाहकों से रहित होती है। चूंकि विद्युत चालकता मुक्त आवेश वाहकों की उपस्थिति पर निर्भर करती है,इसलिए इन वाहकों की अनुपस्थिति के कारण अवक्षय परत का विद्युत प्रतिरोध बहुत अधिक होता है।

अवक्षय परत (depletion layer) का विद्युत प्रतिरोध अधिक होता है क्योंकि

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