નીચેના આલેખો આપેલ ધાતુ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(f)$ ને અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ માં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. સાચો ફેરફાર કયા આલેખમાં દર્શાવેલ છે ($f_0 =$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ):

જ્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જક પર વિકિરણ આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $9 \ V$ જોવા મળે છે. જો ઈલેક્ટ્રોન માટે $e/m$ નું મૂલ્ય $1.8 \times 10^{11} \ C \ kg^{-1}$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

$9 \, eV$ અને $4.5 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી બે ધાતુની સપાટીઓ $A$ અને $B$ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇઓ વચ્ચેનો તફાવત $nm$ માં કેટલો છે? (આપેલ છે,$hc = 1242 \, eV \, nm$)

ધાતુની સપાટી પર આપાત ફોટોનની ઉર્જા શરૂઆતમાં $4W$ અને ત્યારબાદ $6W$ છે,જ્યાં $W$ એ તે ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર શોધો:

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે:

જ્યારે $8 \times 10^{-19} \ J$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,ત્યારે મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $10 \ Å$ છે. ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)?