મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિશીલતા મુક્ત હોલ્સ કરતા વધારે હોય છે કારણ કે

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે શુદ્ધ સિલિકોનમાં જે અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે તે કયા છે?

$p-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં, નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

એક શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $10^{16} \ m^{-3}$ છે. ગેલિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_{h}$ વધીને $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો,ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં $n_{e}$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે?

જ્યારે સિલિકોનમાં અશુદ્ધિ તરીકે આર્સેનિક ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે મળતું દ્રવ્ય કયું છે?