લાઇટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ ની યોજનાકીય સંજ્ઞા કઈ છે?

$p-n$ ફોટોડાયોડ $2.0\, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા પદાર્થમાંથી બનાવવામાં આવે છે. આ પદાર્થ દ્વારા શોષી શકાય તેવા વિકિરણની લઘુત્તમ આવૃત્તિ આશરે કેટલી હશે?

સોલર સેલ માટે $Si$ અને $GaAs$ ને શા માટે પસંદગીના પદાર્થો માનવામાં આવે છે?

નીચેનામાંથી કઈ અર્ધવાહક રચનાને કાર્યરત કરવા માટે રિવર્સ બાયસની જરૂર પડે છે?

એક $LED$ ને $pn$ જંકશનમાંથી બનાવવામાં આવે છે જે એક ચોક્કસ અર્ધવાહક પદાર્થ પર આધારિત છે,જેની એનર્જી ગેપ $1.9 \ eV$ છે. તો ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

$LED$ માટે વિદ્યુતચુંબકીય વર્ણપટના દ્રશ્યમાન વિભાગમાં પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરવા માટે,તેનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ કઈ રેન્જમાં હોવો જોઈએ? (પ્લાન્કનો અચળાંક,$h = 6.6 \times 10^{-34} \ J s$ અને શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ,$c = 3 \times 10^8 \ m s^{-1}$)