$R$ त्रिज्या वाली एक पतली आवेशित डिस्क का पृष्ठीय आवेश घनत्व $\sigma$ है। डिस्क के केंद्र पर विद्युत क्षेत्र का मान $\frac{\sigma}{2\epsilon_0}$ है। केंद्र पर क्षेत्र के सापेक्ष,डिस्क के केंद्र से $R$ दूरी पर अक्ष के अनुदिश विद्युत क्षेत्र:

$R$ त्रिज्या का एक अचालक ठोस गोला समान रूप से आवेशित है। इसके केंद्र से $r$ दूरी पर गोले के कारण विद्युत क्षेत्र का परिमाण है:
$(1) \, r < R \text{ के लिए } r \text{ में वृद्धि के साथ बढ़ता है.}$
$(2) \, 0 < r < \infty \text{ के लिए } r \text{ में वृद्धि के साथ घटता है.}$
$(3) \, R < r < \infty \text{ के लिए } r \text{ में वृद्धि के साथ घटता है.}$
$(4) \, r = R \text{ पर यह सतत है.}$

एक धनात्मक आवेश $Q$ को $R_1$ आंतरिक त्रिज्या और $R_2$ बाहरी त्रिज्या वाले एक चालक गोलीय कोश पर रखा गया है। आवेश $q$ वाले एक कण को गोलीय कोटर (cavity) के केंद्र में रखा गया है। कोटर में केंद्र से $r$ दूरी पर स्थित किसी बिंदु पर विद्युत क्षेत्र का परिमाण है

$2.5 \times 10^{-7} \ Cm^{-1}$ के समान रेखीय आवेश घनत्व वाले एक अनंत लंबाई के पतले सीधे तार के कारण उससे $x$ त्रिज्यीय दूरी पर विद्युत क्षेत्र $7.5 \times 10^4 \ NC^{-1}$ है। तो $x=$ ($cm$ में)

मान लीजिए $\rho (r) = \frac{Q}{\pi R^4} r$ त्रिज्या $R$ और कुल आवेश $Q$ वाले एक ठोस गोले के लिए आयतन आवेश घनत्व वितरण है। गोले के केंद्र से $r_1$ दूरी पर गोले के अंदर स्थित एक बिंदु $p$ के लिए,विद्युत क्षेत्र का परिमाण क्या होगा?

एक अनंत शीट जिस पर एकसमान पृष्ठीय आवेश घनत्व $\sigma$ है, $xy$-तल पर स्थित है। आवेश $q$ को बिंदु $A = a(\hat{i} + 2\hat{j} + 3\hat{k})$ से बिंदु $B = a(\hat{i} - 2\hat{j} + 6\hat{k})$ तक ले जाने में किया गया कार्य (जहाँ $a$ लंबाई के आयाम वाला एक स्थिरांक है और $\varepsilon_{0}$ मुक्त स्थान की विद्युतशीलता है) है