सिलिकॉन क्रिस्टल में फॉरबिडन गैप की चौड़ाई 1. | vedclass

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Question

(C) एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी स्तर $E_i$ फॉरबिडन ऊर्जा गैप के मध्य में स्थित होता है,अर्थात $E_i \approx E_c - E_g/2$।$N$-प्रकार के अर्

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$0.55 \, eV$ से कम

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(C) एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी स्तर $E_i$ फॉरबिडन ऊर्जा गैप के मध्य में स्थित होता है,अर्थात $E_i \approx E_c - E_g/2$।$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए,दाता अशुद्धियों (donor impurities) को मिलाने से चालन बैंड के ठीक नीचे दाता ऊर्जा स्तर जुड़ जाते हैं। इसके कारण फर्मी स्तर $E_f$ चालन बैंड की ओर ऊपर की ओर खिसक जाता है।चूंकि फर्मी स्तर $E_f$ चालन बैंड $E_c$ के करीब आ जाता है,इसलिए ऊर्जा का अंतर $(E_c - E_f)$ आंतरिक अर्धचालक की तुलना में कम हो जाता है।एक आंतरिक अर्धचालक में,चालन बैंड से दूरी $E_g/2 = 1.1 \, eV / 2 = 0.55 \, eV$ होती है।इसलिए,$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए,फर्मी स्तर की चालन बैंड से दूरी $0.55 \, eV$ से कम होती है।

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