ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ માટે વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $1.92 eV, 2.0 eV$ અને $5 eV$ છે. આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,$4100 \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ માટે કઈ ધાતુઓ ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે?

પોટેશિયમ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ (વર્ક ફંક્શન $2 \ eV$ છે) ........... $nm$ છે.

સીઝિયમ $(Cs)$ અને લિથિયમ $(Li)$ ધાતુઓના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $1.9 \ eV$ અને $2.5 \ eV$ છે. જો આપણે આ બે ધાતુની સપાટી પર $550 \ nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરીએ,તો ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર કયા કિસ્સામાં શક્ય છે?

$310 \ nm$,$455 \ nm$ અને $620 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ બે માધ્યમોને અલગ કરતી સપાટી પર $45^o$ ના ખૂણે આપાત થાય છે. $455 \ nm$ ના પ્રકાશ માટે વક્રીભવનાંક $\sqrt{2}$ છે. જો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટને આ માધ્યમમાં મૂકવામાં આવે,તો ધાતુની પ્લેટમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(v)$ વધારવામાં આવે અને અન્ય તમામ પરિબળો અચળ રાખવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ પર શું અસર થશે? (જ્યાં $v > v_0$ અને $v_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ છે)

જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $50 \, cm$ ના અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V_0$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને સેલથી $1 \, m$ ના અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?