ટંગસ્ટન અને સોડિયમ માટે વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $4.5 \text{ eV}$ અને $2.3 \text{ eV}$ છે. જો સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\lambda_0$ એ $5460 \text{ \AA}$ હોય, તો ટંગસ્ટન માટે $\lambda_0$ નું મૂલ્ય ............ $\text{ \AA}$ છે.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવા માટે કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3 \lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{4}$ છે. જો ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $n \lambda$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એમિટર પ્લેટ $E$ પર એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે સ્વીચ $S_1$ બંધ હોય અને સ્વીચ $S_2$ ખુલ્લી હોય,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ $C$ પર અથડાય છે. જો સ્વીચ $S_1$ ખુલ્લી હોય અને સ્વીચ $S_2$ બંધ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન $20 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ પર અથડાય છે. એમિટર પ્લેટની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $3.3 \times 10^{14} \text{ Hz}$ છે. જો આ ધાતુ પર $8.20 \times 10^{14} \text{ Hz}$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન માટે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ આશરે ............ $V$ થશે.

$300 \ nm$ તરંગલંબાઈ અને $100 \ W \ m^{-2}$ તીવ્રતા ધરાવતું વિકિરણ એક ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર પડે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી $2 \%$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો સપાટીના $2 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળમાંથી પ્રતિ સેકન્ડ ઉત્સર્જિત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા આશરે કેટલી હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $(\lambda/3)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $4$ ગણી હોય, તો પદાર્થની સપાટીનું કાર્યવિધેય (work function) શોધો ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક, $c$ = પ્રકાશની ઝડપ).