જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવા માટે કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3 \lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{4}$ છે. જો ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $n \lambda$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ માટે વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $1.92 eV, 2.0 eV$ અને $5 eV$ છે. આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,$4100 \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ માટે કઈ ધાતુઓ ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે?

ટંગસ્ટન પર સિઝિયમની બનેલી ફોટો સંવેદી સપાટીને નિયોન બલ્બમાંથી $640.2 \ nm$ $(1 \ nm = 10^{-9} \ m)$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. માપવામાં આવેલ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.54 \ V$ છે. જો આ સ્ત્રોતને બદલીને સમાન ફોટોસેલ પર $427.2 \ nm$ ની રેખા વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો નવું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ માટે, વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક, $c$ = પ્રકાશનો વેગ, $e$ = ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

$5\, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં કેથોડ $C$ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઊર્જા $2\, eV$ છે. જ્યારે $6\, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન $C$ પર આપાત થાય,ત્યારે જો $C$ ની સાપેક્ષમાં $A$ નું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ હોય,તો કોઈ પણ ફોટોઈલેક્ટ્રોન એનોડ $A$ સુધી પહોંચશે નહીં.

$6.4 \times 10^{-5} \; W/cm^{2}$ તીવ્રતા ધરાવતા વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણના કિરણપુંજની તરંગલંબાઈ $\lambda = 310 \; nm$ છે. તે $1 \; cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ધાતુની સપાટી (વર્ક ફંક્શન $\varphi = 2 \; eV$) પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. જો દર $10^{3}$ ફોટોન દીઠ એક ફોટોન ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતું હોય, તો $1 \; s$ માં ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા $10^{x}$ છે. તો $x$ નું મૂલ્ય શોધો. $(hc = 1240 \; eV \cdot nm, 1 \; eV = 1.6 \times 10^{-19} \; J)$