$P$-प्रकार के $Si$ अर्धचालक प्राप्त करने के लिए,हमें शुद्ध $Si$ को किसके साथ डोप करना होगा?

यदि $N_A$ मिलाए गए स्वीकर्ता (acceptor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है और $N_D$ एक अर्धचालक में मिलाए गए दाता (donor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है,और $n_e$ तथा $n_h$ इसमें इलेक्ट्रॉनों और कोटरों (holes) का संख्या घनत्व है,तो:

सिलिकॉन में अशुद्धि के रूप में निम्नलिखित में से किसे मिलाने पर $n-$प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है?

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल की चालकता क्या होगी,यदि इस तापमान पर प्रति $cm^3$ इलेक्ट्रॉन-होल जोड़े $1.072 \times 10^{10}$ हैं,$\mu_e = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ और $\mu_h = 480 \ cm^2/V \cdot s$ है?

एक बाह्य अर्धचालक (extrinsic semiconductor) में होल और इलेक्ट्रॉन का संख्या घनत्व क्रमशः ${N_p}$ और ${N_e}$ है। तो:

एक जंक्शन डायोड में,होल्स (holes) किसके कारण होते हैं?