जब एक $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो यह $\qquad$ .
- Aविभव प्राचीर (potential barrier) को बढ़ाता है।
- Bविभव प्राचीर (potential barrier) को कम करता है।
- Cबहुसंख्यक वाहकों (majority carriers) को शून्य कर देता है।
- Dविभव प्राचीर (potential barrier) समान रहता है।
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चित्र में एक अर्धचालक डायोड के $I-V$ अभिलक्षण दर्शाए गए हैं। $V = -8 \text{ V}$ और $I_{d} = 10 \text{ mA}$ पर डायोड का प्रतिरोध क्रमशः क्या होगा?
Medium
View Solutionयदि एक डायोड में अग्र वोल्टेज (forward voltage) को बढ़ाया जाता है,तो अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $\qquad$ .
निम्नलिखित परिपथ में धारा का मान क्या है?
दी गई आकृति में,बिंदु $A$ का वोल्टेज ............ $V$ है।
Easy
View Solutionयदि $Si$ और $Ge$ डायोड का बैरियर विभव क्रमशः $0.7 \ V$ और $0.3 \ V$ है,जैसा कि परिपथ में दिखाया गया है,तो $V_0$ और $I$ के मान ज्ञात कीजिए। यदि $Ge$ डायोड के कनेक्शन को उलट दिया जाए,तो $V_0$ और $I$ के नए मान क्रमशः ज्ञात कीजिए।
Medium
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