જ્યારે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા બમણી આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_{1}$ છે. જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ થ્રેશોલ્ડ મૂલ્ય કરતા પાંચ ગણી કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_{2}$ બને છે. જો $v_{2} = x v_{1}$ હોય,તો $x$ નું મૂલ્ય........... થશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,જ્યારે $\lambda_{0}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે ત્યારે આપેલ ધાતુ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{0}$ વોલ્ટ છે. જો તે જ ધાતુ માટે $2\lambda_{0}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ (વોલ્ટમાં) કેટલું થશે? [$e=$ ઈલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર,$c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક.]

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો સ્ત્રોત એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે અને $2 \ \text{eV}$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો તે જ સપાટી પર $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો સ્ત્રોત આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{eV}$ માં)? (ધાતુનું કાર્ય વિધેય $1 \ \text{eV}$ છે.)

$4000 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટો-સંવેદી સપાટી પર આપાત થાય છે. જો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે $-2 \ V$ ના પોટેન્શિયલની જરૂર પડતી હોય,તો પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, e = 1.6 \times 10^{-19} \ C, c = 3 \times 10^8 \ m/s)$

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:k$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ ને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ ની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) શેના દ્વારા આપવામાં આવે છે? ($e$ એ ઈલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ છે)