જ્યારે પ્રકાશ $p-n$ જંકશન ડાયોડ પર પડે છે,ત્યારે પ્રવાહ $I$ વિરુદ્ધ વોલ્ટેજ $V$ નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ જોવા મળે છે. ડાયોડ કયા ચરણ(ઓ)માં પાવર ઉત્પન્ન કરે છે,જેથી તેનો ઉપયોગ સોલર સેલ તરીકે થઈ શકે?

સૌર વિકિરણોનું emf માં કાર્યક્ષમ રૂપાંતરણ કરવા માટે પદાર્થ $A$ નો ઉપયોગ કરીને એક સોલર સેલ બનાવવાનો છે. સોલર સેલને પદાર્થ $B$ ના કોટિંગની મદદથી યાંત્રિક રીતે સુરક્ષિત રાખવાનો છે. જો પદાર્થ $A$ અને $B$ ની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા અનુક્રમે $E_{A}$ અને $E_{B}$ હોય,તો સોલર સેલના વધુ સારા પ્રદર્શન માટે નીચેનામાંથી કયો વિકલ્પ શ્રેષ્ઠ છે?

$2.5 \ eV$ બૅન્ડગેપ ધરાવતા અર્ધવાહકમાંથી ફોટો-ડાયોડ બનાવેલ છે. શું તે $6000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈને પારખી શકશે?

$2.5 eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ જંકશન ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કેટલી તરંગલંબાઇનો સિગ્નલ શોધી શકે છે? (આપેલ છે: પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} Js$,પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 m/s$,પ્રાથમિક વિદ્યુતભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} C$)

ત્રણ ફોટોડાયોડ $D_1, D_2,$ અને $D_3$ એવા સેમિકન્ડક્ટરના બનેલા છે જેમના બેન્ડ ગેપ અનુક્રમે $2.5 \ eV, 2 \ eV,$ અને $3 \ eV$ છે. આમાંથી કયા ફોટોડાયોડ $6000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશને શોધી શકશે?

$2.8 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી એક $p-n$ જંકશન બનાવવામાં આવે છે. તે કઈ આશરે તરંગલંબાઈ શોધી શકતું નથી ($nm$ માં)?
[ $h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ અને $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ નો ઉપયોગ કરો ]