जब $8 \times 10^{-19} \ J$ ऊर्जा के फोटॉन एक प्रकाश-संवेदी पदार्थ पर आपतित होते हैं,तो अधिकतम गतिज ऊर्जा के साथ उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन की डी-ब्रोग्ली तरंगदैर्ध्य $10 \ Å$ है। प्रकाश-संवेदी पदार्थ का कार्य फलन लगभग है ($eV$ में)

जब $400 \, nm$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश $2.5 \, eV$ कार्य फलन वाली धातु पर गिरता है,तो उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन का अधिकतम रैखिक संवेग ज्ञात कीजिए।

सोडियम और तांबे के कार्य फलन (work functions) क्रमशः $2.3 \ eV$ और $4.5 \ eV$ हैं। तो उनकी देहली तरंगदैर्ध्य (threshold wavelengths) का अनुपात किसके निकटतम है?

जब एकवर्णी प्रकाश का एक बिंदु स्रोत एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.2 \ m$ की दूरी पर होता है,तो स्टॉपिंग पोटेंशियल और संतृप्त फोटोइलेक्ट्रिक धारा क्रमशः $0.6 \ V$ और $18 \ mA$ होती है। यदि उसी स्रोत को फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.6 \ m$ दूर रखा जाए,तो:

एक प्रकाश-विद्युत प्रयोग में,$Y$-अक्ष पर निरोधी विभव (stopping potential) और $X$-अक्ष पर आपतित प्रकाश की आवृत्ति को लेकर एक ग्राफ खींचा जाता है। यदि ग्राफ एक सीधी रेखा है जो $Y$-अक्ष के साथ $\theta$ कोण बनाती है,तो $\tan \theta=$ ($h$-प्लांक नियतांक,$e$-इलेक्ट्रॉन का आवेश)।

$4.8 \ cm$ त्रिज्या का एक चांदी का गोला निर्वात कक्ष में एक धागे से लटका हुआ है। $200 \ nm$ तरंगदैर्ध्य का $UV$ प्रकाश कुछ समय के लिए गोले पर आपतित होता है,जिसके दौरान कुल $1 \times 10^{-7} \ J$ ऊर्जा सतह पर गिरती है। यह मानते हुए कि औसतन $10^3$ आपतित फोटॉनों में से एक इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित करने में सक्षम है,गोले पर विभव ............ $V$ होगा।