જ્યારે ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની બેટરીને ડિસ્કનેક્ટ કરવામાં આવે છે અને તેની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે સંગ્રહિત ઉર્જા:

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $2 \ V$ ની બેટરી સાથે જોડીને ચાર્જ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ તેને બેટરીથી અલગ કરવામાં આવે છે અને પ્લેટોની વચ્ચે કાચની સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ રાશિઓની જોડીમાં ઘટાડો થાય છે?

$40 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર-પ્લેટ કેપેસિટરને $100 V$ ના પાવર સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $K=2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થને ભરવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવાને કારણે,કેપેસિટરમાં વધારાનો વિદ્યુતભાર અને સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જામાં થતો ફેરફાર અનુક્રમે કેટલો હશે?

ત્રણ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $C_1, C_2$ અને $C_3$ દરેકનું કેપેસિટન્સ $5 \mu F$ છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ જોડાયેલા છે. જ્યારે $C_1$ કેપેસિટરની સમાંતર પ્લેટો વચ્ચે $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ ભરવામાં આવે,ત્યારે બિંદુઓ $A$ અને $B$ વચ્ચેનું અસરકારક કેપેસિટન્સ કેટલું થાય ($\mu F$ માં)?

$20 \ \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2 \ mm$ છે. જો $1 \ mm$ જાડાઈ અને $2$ ડાય-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાય-ઈલેક્ટ્રિક ચોસલું પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ ..... $\mu F$ થશે.

હવા માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $6\, \mu F$ છે. ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ દાખલ કરવાથી,કેપેસિટન્સ $30\, \mu F$ થાય છે. તો માધ્યમની પરમિટિવિટી .......... $C^{2} N^{-1} m^{-2}$ છે.
$(\varepsilon_{0} = 8.85 \times 10^{-12} C^{2} N^{-1} m^{-2})$