$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે $Si$ માં કઈ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં, ફર્મી એનર્જી લેવલ ક્યાં હોય છે?

$\text{એક આંતરિક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા } 6 \times 10^{15} \,m^{-3} \text{ છે. અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને } 4 \times 10^{22} \,m^{-3} \text{ થાય છે. ઉષ્મીય સંતુલનમાં, ડોપ્ડ અર્ધવાહકમાં હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?}$

એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $4 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^3$ છે. તેને $1 \text{ ppm}$ એન્ટિમનીની સાંદ્રતા સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે. ઉપલબ્ધ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા કેટલી હશે?

સિલિકોન અથવા જર્મેનિયમ માટે તત્વરૂપી ડોપન્ટ્સ સામાન્ય રીતે સમૂહ $XIII$ અથવા સમૂહ $XV$ માંથી શા માટે પસંદ કરવામાં આવે છે?

નીચે આપેલી અશુદ્ધિઓમાંથી કઈ અશુદ્ધિ ત્રિસંયોજક (trivalent) નથી?