નીચેનામાંથી કયો સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં છે?

$Ge$ ની ફોરબિડન એનર્જી ગેપ $0.75 \ eV$ છે. $Ge$ અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડકું ઉત્પન્ન કરવા માટે આપાત ફોટોન રેડિએશનની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ........... $\mathring{A}$ હોવી જોઈએ.

ઓહ્મનો નિયમ કયા કિસ્સામાં નિષ્ફળ જાય છે?

એક પ્રયોગમાં,ડાયોડમાં પ્લેટ કરંટનું સંતૃપ્તિ (saturation) $240\,V$ પર જોવા મળે છે. પરંતુ એક વિદ્યાર્થી હજુ પણ પ્લેટ કરંટ વધારવા માંગે છે. તે કેવી રીતે કરી શકાય?

અનબાયસ્ડ $n-p$ જંકશનમાં,ઇલેક્ટ્રોન $n-$ વિસ્તારમાંથી $p-$ વિસ્તારમાં પ્રસરણ પામે છે કારણ કે

સિલિકોન ડાયોડમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ $1 \, \mu m$ છે અને ની પોટેન્શિયલ $0.6 \, V$ છે, તો ડેપ્લેશન લેયરમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર કેટલું હશે?