निम्नलिखित में से कौन सा अर्धचालक डायोड रिवर्स बायस में है?

यदि $P-N$ जंक्शन पर कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं किया जाता है,तो क्या होगा?

जब एक $p-n$ जंक्शन पर रिवर्स बायस लगाया जाता है, तो यह . . . . . . .

चित्र में अग्र अभिनति (forward bias) में एक $p-n$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषताएँ दिखाई गई हैं। क्रमशः $2 \; V$ और $4 \; V$ के अग्र अभिनति वोल्टेज के अनुरूप गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) का अनुपात क्या है?

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और दिए गए उत्तरों में से सही विकल्प की पहचान करें:
$A:$ $P-N$ जंक्शन डायोड में फॉरवर्ड बायस में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ जाती है।
$B:$ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी ऊर्जा स्तर वर्जित अंतराल (forbidden gap) के ठीक बीच में होता है।

एक फॉरवर्ड बायस्ड $p-n$ जंक्शन डायोड में,डिप्लीशन क्षेत्र में विभव प्राचीर (potential barrier) किस रूप में होगा?