$N$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

  • A
    दाता स्तर (donor level) चालन बैंड (conduction band) के निचले हिस्से के ठीक नीचे स्थित होता है।
  • B
    दाता स्तर संयोजी बैंड (valence band) के शीर्ष के ठीक ऊपर स्थित होता है।
  • C
    दाता स्तर वर्जित ऊर्जा अंतराल (forbidden energy gap) के मध्य में स्थित होता है।
  • D
    उपरोक्त में से कोई नहीं।

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