निम्नलिखित में से कौन सा ग्राफ एक डायोड की फॉरवर्ड बायस विशेषता को दर्शाता है?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड का इन-बिल्ट विभव (built-in potential) $0.7 \,V$ है। यदि डायोड को फॉरवर्ड बायस में रखा जाता है और आरोपित वोल्टेज $0.3 \,V$ है, तो प्रभावी अवरोध ऊँचाई (effective barrier height) क्या होगी ($\,V$ में)?

जब $p-n$ जंक्शन को फॉरवर्ड बायस (अग्र अभिनति) में रखा जाता है,तो विभव प्राचीर $(V_B)$ और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $(X)$ पर क्या प्रभाव पड़ता है?

एक डायोड को चित्र में दिखाए अनुसार एक प्रतिरोध $R$ के साथ समानांतर में जोड़ा गया है। सबसे संभावित धारा $(I)$ - वोल्टेज $(V)$ अभिलक्षण क्या है?

एक अर्धचालक (semiconductor) प्रबल विद्युत धारा के कारण क्षतिग्रस्त हो जाता है,इसका कारण है:

$P-N$ जंक्शन में डिप्लेशन लेयर (depletion layer) बनने का कारण क्या है?