$4 eV$ ઊર્જા ધરાવતો એક ફોટોન તેની તમામ ઊર્જા એક ઇલેક્ટ્રોનને આપે છે, જે $1.1 eV$ ગતિ ઊર્જા સાથે ધાતુની સપાટી છોડે છે। ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે ($eV$ માં)?

એક ધાતુની સપાટીને આપેલ તીવ્રતા અને આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે, જેના કારણે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા તેના મૂળ મૂલ્યના $1/4$ ભાગ જેટલી ઘટાડવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

નીચેના આલેખો આપેલ ધાતુ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(f)$ ને અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ માં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. સાચો ફેરફાર કયા આલેખમાં દર્શાવેલ છે ($f_0 =$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ):

સિલ્વરની ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $3250 \times 10^{-10} \, m$ છે. $2536 \times 10^{-10} \, m$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ દ્વારા સિલ્વરની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે? (આપેલ છે: $h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s$ અને $c = 3 \times 10^8 \, m/s$)

નીચે આપેલા આલેખમાં,જો ઢાળ $4.12 \times 10^{-15} \, V-s$ હોય,તો $'h'$ નું મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$I$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા પ્રકાશની આવૃત્તિ પર આધાર રાખતી નથી.
$II$ અત્યંત તીવ્ર પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર હંમેશા જોવા મળે છે.
$III$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખતી નથી.
$IV$ વધુ આવૃત્તિ માટે બહાર નીકળતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા વધારે હોય છે.