જ્યારે $3000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની ઊર્જા $0.5 \ eV$ હોય છે. જો $2000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો ફોટોન તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની ઊર્જા કેટલી હશે?

$\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટો-સેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે અને $E$ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો ગતિઊર્જા વધારીને $2E$ કરવી હોય,તો તરંગલંબાઈ બદલીને $\lambda'$ કરવી પડે,જ્યાં

ધાતુ $A, B$ અને $C$ ના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $1.92 \ eV, 2.0 \ eV$ અને $5 \ eV$ છે. આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,$4100 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે ત્યારે કઈ ધાતુ(ઓ) ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે?

$6.2 \, eV$ ના અલ્ટ્રાવાયોલેટ વિકિરણો એલ્યુમિનિયમની સપાટી પર પડે છે (વર્ક ફંક્શન $4.2 \, eV$). ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા જૂલમાં આશરે કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(v)$ વધારવામાં આવે અને અન્ય તમામ પરિબળો અચળ રાખવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ પર શું અસર થશે? (જ્યાં $v > v_0$ અને $v_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ છે)

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે, જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જ્યારે તે જ ધાતુ પર $2\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે, ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ થાય છે. આપેલ ધાતુ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\alpha\lambda$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.