$2.8 \; eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માંથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. શું તે $6000 \; nm$ ની તરંગલંબાઇ શોધી શકે છે?

(NO) આપેલ ફોટોડાયોડનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ $E_g = 2.8 \; eV$ છે.
આપેલ પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $\lambda = 6000 \; nm = 6000 \times 10^{-9} \; m$ છે.
ફોટોનની ઉર્જા $E = \frac{hc}{\lambda}$ સંબંધ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
$h = 6.626 \times 10^{-34} \; Js$ અને $c = 3 \times 10^8 \; m/s$ નો ઉપયોગ કરતા:
$E = \frac{6.626 \times 10^{-34} \times 3 \times 10^8}{6000 \times 10^{-9}} \; J = 3.313 \times 10^{-20} \; J$.
આ ઉર્જાને ઇલેક્ટ્રોન-વોલ્ટ $(eV)$ માં રૂપાંતરિત કરતા:
$E = \frac{3.313 \times 10^{-20}}{1.6 \times 10^{-19}} \; eV \approx 0.207 \; eV$.
અહીં આપાત ફોટોનની ઉર્જા $(0.207 \; eV)$ એ ફોટોડાયોડના બેન્ડ ગેપ $(2.8 \; eV)$ કરતા ઓછી હોવાથી,ફોટોડાયોડ $6000 \; nm$ તરંગલંબાઇના સિગ્નલને શોધી શકશે નહીં.