હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \ pF$ છે. તેની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા બે ડાયલેક્ટ્રિક્સથી ભરવામાં આવે છે. એક ડાયલેક્ટ્રિકનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $k_1 = 3$ અને જાડાઈ $d/3$ છે,જ્યારે બીજાનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $k_2 = 6$ અને જાડાઈ $2d/3$ છે. હવે કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ . . . . . . $pF$ છે.

જ્યારે ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની બેટરીને ડિસ્કનેક્ટ કરવામાં આવે છે અને તેની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે સંગ્રહિત ઉર્જા:

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે છે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ડાઈઈલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરી દેવામાં આવે છે. જો નવું કેપેસિટન્સ $3C$ હોય,તો માધ્યમનો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

જ્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યાને $\varepsilon_r$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થ વડે ભરવામાં આવે ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ કેટલી હશે? ધારો કે હવામાં કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $C$ છે.

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરને $V \, \text{volt}$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે,બેટરીને જોડેલી રાખીને તેમાં $\epsilon_r$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,તો:

ચાર સમાન પ્લેટો $1, 2, 3$ અને $4$ ને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એકબીજાથી સમાન અંતરે સમાંતર રાખવામાં આવી છે. પ્લેટ $1$ અને $4$ ને એકસાથે જોડવામાં આવે છે અને $2$ અને $3$ વચ્ચેની જગ્યામાં $k = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે. $1$ અને $3$ વચ્ચે અને $2$ અને $4$ વચ્ચેની સિસ્ટમનું કેપેસીટન્સ અનુક્રમે $C_1$ અને $C_2$ છે. ગુણોત્તર $\frac{C_1}{C_2}$ કેટલો થાય?