એક ચાંદીનો ગોળો શૂન્યાવકાશ ચેમ્બરમાં દોરી વડે લટકાવવામાં આવ્યો છે અને તેના પર $200 \ nm$ તરંગલંબાઇનો પારજાંબલી પ્રકાશ આપાત થાય છે. જો ચાંદીનું કાર્ય વિધેય $4.7 \ eV$ હોય,તો ગોળા દ્વારા પ્રાપ્ત મહત્તમ પોટેન્શિયલ .............. $V$ હશે.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $50 \%$ નો ઘટાડો કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રારંભિક મહત્તમ ગતિઊર્જા કરતા $3$ ગણી થાય છે. પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) શોધો ($h$ - પ્લાન્કનો અચળાંક,$c$ - શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ).

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,જ્યારે $h \nu$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી (વર્ક ફંક્શન $h \nu_0$) પર પડે છે,ત્યારે ધાતુની સપાટીમાંથી ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આના વિશે શું કહી શકાય?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $200 \, nm$ થી બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે કેટલો હશે ($ \, V$ માં)? [$hc = 1240 \, eV \cdot nm$ નો ઉપયોગ કરો, જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે].

એક ધાતુ સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $6.2 \ eV$ છે. જો આ સપાટી પર આપાત થતા વિકિરણ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5 \ V$ હોય,તો આપાત વિકિરણ ...... પ્રદેશમાં હશે.

વિધાન : જો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ઓછું હોય તો તેની ફોટોસેન્સિટિવિટી વધારે હોય છે.
કારણ : વર્ક ફંક્શન $= hf_0$ જ્યાં $f_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ છે.