$4.8 \ cm$ ત્રિજ્યાનો એક ચાંદીનો ગોળો શૂન્યાવકાશ ચેમ્બરમાં દોરા વડે લટકાવેલ છે. $200 \ nm$ તરંગલંબાઈનો $UV$ પ્રકાશ ગોળા પર અમુક સમય માટે આપાત થાય છે,જે દરમિયાન કુલ $1 \times 10^{-7} \ J$ ઊર્જા સપાટી પર પડે છે. જો સરેરાશ દર $10^3$ આપાત ફોટોનમાંથી એક ફોટોન ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતો હોય,તો ગોળા પરનું સ્થિતિમાન ............ $V$ હશે.

જ્યારે $4900 Å$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર પડે છે, ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે $2 \,V$ ના નેગેટિવ પોટેન્શિયલની જરૂર પડે છે. તો, ધાતુનું વર્ક-ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)? (આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.602 \times 10^{-19} C$ અને પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.625 \times 10^{-34} Js$)

થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ ઘટાડવામાં આવે જેથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન સમાન વેગથી ગતિ કરે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $3.2 \times 10^{-19} \text{ J}$ હોય અને ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $6.63 \times 10^{-19} \text{ J}$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ અનુક્રમે કેટલા હશે?
[પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.63 \times 10^{-34} \text{ J} \cdot \text{s}$]
[પ્રકાશનો વેગ $c = 3 \times 10^{8} \text{ m/s}$]
[ઈલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \text{ C}$]

જ્યારે કોઈ ધાતુ પર $\lambda$ $(\lambda < \lambda_0)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત તમામ ફોટોઈલેક્ટ્રોન $B_0$ ફ્લક્સ ઘનતા ધરાવતા ચુંબકીય ક્ષેત્ર દ્વારા $r$ ત્રિજ્યાના વર્તુળમાં વળે છે. $\frac{1}{\lambda_0}$ શોધો,જ્યાં $\lambda_0$ એ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ છે.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવા માટે કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3 \lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{4}$ છે. જો ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $n \lambda$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?