અષ્ટફલકીય સંકીર્ણમાંથી બંને અક્ષીય લિગેન્ડ્સ ($z-$ અક્ષ પરના) સંપૂર્ણપણે દૂર કરવાથી નીચેનામાંથી કઈ સ્પ્લિટિંગ પેટર્ન મળે છે? (સાપેક્ષ ઓર્બિટલ ઊર્જા સ્કેલ પર નથી)

નીચેનામાંથી કયા પ્રકારના આયનો માટે અષ્ટફલકીય સંકીર્ણોમાં અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા મુક્ત આયન જેટલી જ નિશ્ચિત રહે છે,પછી ભલે સ્ફટિક ક્ષેત્ર ગમે તેટલું નિર્બળ કે પ્રબળ હોય?

$[M(H_2O)_6]^{2+}$ સંકીર્ણ સામાન્ય રીતે $600 \ nm$ ની આસપાસ શોષણ કરે છે. તેની એમોનિયા સાથે પ્રક્રિયા કરીને નવું સંકીર્ણ $[M(NH_3)_6]^{2+}$ બને છે, જેનું શોષણ ....... $nm$ પર હોવું જોઈએ.

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે,એકને વિધાન $A$ અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: $[CoCl(NH_3)_5]^{2+}$ એ $[Co(NH_3)_5(H_2O)]^{3+}$ ની સાપેક્ષમાં પ્રકાશની ઓછી તરંગલંબાઇ પર શોષણ કરે છે.
કારણ $R$: કારણ કે શોષાયેલા પ્રકાશની તરંગલંબાઇ ધાતુ આયનની ઓક્સિડેશન અવસ્થા પર આધાર રાખે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

મેટલ કોમ્પ્લેક્સમાં $t_{2g}^3, e_g^1$ કોન્ફિગરેશનને અનુકૂળ પરિસ્થિતિઓ અને પરિણામો કયા છે?

નીચેનામાંથી કયા સંકીર્ણ સંયોજનમાં $H_2O$ નિર્બળ ક્ષેત્ર લિગેન્ડ તરીકે વર્તશે?