एक $p-n$ जंक्शन डायोड की फॉरवर्ड बायस व्यवस्था में,

निम्नलिखित तालिका एक दिए गए डायोड के लिए प्राप्त $V$ और $I$ के मानों का सेट प्रदान करती है। मान लीजिए कि विशेषताएँ लगभग रैखिक हैं। इस सीमा में,दिए गए डायोड का फॉरवर्ड और रिवर्स बायस प्रतिरोध क्रमशः क्या है?

स्थिति	$V$	$I$
फॉरवर्ड बायसिंग	$2.0 \, V$	$60 \, mA$
फॉरवर्ड बायसिंग	$2.4 \, V$	$80 \, mA$
रिवर्स बायसिंग	$0 \, V$	$0 \, \mu A$
रिवर्स बायसिंग	$-2 \, V$	$-0.25 \, \mu A$

अग्र अभिनति (forward bias) में,$P-N$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential barrier) की चौड़ाई:

एक अनबायस्ड सेमीकंडक्टर डायोड में डिप्लीशन रीजन वह क्षेत्र है जिसमें क्या होता है?

$p-n$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential barrier) का कारण क्या है?

एक $2 \text{ V}$ की बैटरी को एक डायोड के साथ फॉरवर्ड बायस में जोड़ा गया है। डायोड के सिरों पर $0.5 \text{ V}$ का वोल्टेज ड्रॉप होता है,जो इसमें बहने वाली धारा से स्वतंत्र है। $10 \text{ mA}$ से अधिक की धारा अत्यधिक ऊष्मा उत्पन्न करती है और डायोड को नुकसान पहुँचाती है। यदि डायोड में $5 \text{ mA}$ की धारा की आवश्यकता है,तो परिपथ में कितना श्रेणी प्रतिरोध जोड़ा जाना चाहिए?