ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$Y$-અક્ષ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને $X$-અક્ષ પર આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ લઈને આલેખ દોરવામાં આવે છે. જો આલેખ એક સીધી રેખા હોય જે $Y$-અક્ષ સાથે $\theta$ ખૂણો બનાવે છે,તો $\tan \theta=$ ($h$-પ્લાન્કનો અચળાંક,$e$-ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર).

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવા માટે કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3 \lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{4}$ છે. જો ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $n \lambda$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ ઘટાડીને પ્રારંભિક મૂલ્યના $\frac{1}{3}$ કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અગાઉના મૂલ્ય કરતાં $n$ ગણી જોવા મળે છે. તો ધાતુની પ્લેટ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

એક ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:x$ છે. તેથી,ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

ચોક્કસ ધાતુમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરી શકે તેવી વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. $100 \ nm$ તરંગલંબાઈના વિકિરણને કારણે ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા મેળવેલી મહત્તમ ગતિઊર્જા .............. $eV$ હશે.

જ્યારે $300 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર પડે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મુક્ત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે,$600 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બંને ઉત્સર્જકોના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર શું છે?