ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$800 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ $1 \ nm$ ની લઘુત્તમ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. તો પ્રયોગમાં વપરાયેલ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)?

નીચેના વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
$A$. લક્ષ્ય પદાર્થના ચુસ્ત રીતે બંધાયેલા ઇલેક્ટ્રોન $X$-રે ફોટોનનું પ્રકીર્ણન કરે છે,જેના પરિણામે કોમ્પ્ટન અસર થાય છે.
$B$. ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાથે થાય છે.

વિધાન $(A)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,પ્રકાશની તીવ્રતા વધારવાથી,ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને તે દરેકની ગતિ ઊર્જા બંને વધે છે,પરંતુ ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ બદલાતો નથી.
કારણ $(R)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માત્ર પ્રકાશની તરંગલંબાઈ પર આધાર રાખે છે.

નબળા અને વિદ્યુતચુંબકીય આંતરક્રિયાઓનું એકીકરણ કોના દ્વારા કરવામાં આવ્યું હતું?

નીચેનામાંથી કઈ અસરો $EM$ વિકિરણના કવોન્ટમ સ્વભાવને ટેકો આપે છે? $(1)$ ફોટો ઇલેક્ટ્રિક અસર $(2)$ કોમ્પ્ટન અસર $(3)$ ડોપ્લર અસર $(4)$ ફિલ્ડ ઇફેક્ટ

ઇલેક્ટ્રોન અને ફોટોનની ઊર્જા સમાન છે. જો ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઇ $1\,\mathring{A}$ હોય,તો ફોટોનની તરંગલંબાઇ આશરે ............. $\mathring{A}$ હશે.