$300\, K$ पर एक शुद्ध सिलिकॉन $(n_i = 10^{16}/m^3)$ क्रिस्टल में,प्रति घन मीटर $10^{21}$ फास्फोरस परमाणु मिलाए जाते हैं। नई होल सांद्रता क्या होगी?

$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में,निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक के लिए, यदि $n_h$ और $n_e$ क्रमशः प्रति इकाई आयतन में होल्स की संख्या और प्रति इकाई आयतन में मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या को दर्शाते हैं, तो:

शुद्ध सिलिकॉन के एक नमूने में $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ फास्फोरस मिलाया जाता है। यदि सभी दाता परमाणु सक्रिय हैं और इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता $1200 \text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$ है, तो $20^\circ\text{C}$ पर प्रतिरोधकता $\Omega\cdot\text{cm}$ में क्या होगी?

एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $5 \times 10^{28}$ परमाणु $m^{-3}$ हैं। इसे $1 \, ppm$ सांद्रता वाले पेंटावैलेंट $As$ के साथ डोप किया जाता है। होल्स की संख्या ज्ञात कीजिए। ($n_i = 1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ लें)

$N-$ प्रकार और $P-$ प्रकार के सिलिकॉन को शुद्ध सिलिकॉन में किसका डोपिंग करके प्राप्त किया जा सकता है?