$300\, K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન $(n_i = 10^{16}/m^3)$ સ્ફટિકમાં,દર ઘન મીટર દીઠ $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. તો નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી થશે?

જ્યારે $Ge$ સ્ફટિકોમાં ફોસ્ફરસ પરમાણુઓનું ડોપિંગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે શું બને છે?

એક સિલિકોન નમૂનાને $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ સરેરાશ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરીને $P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ફેરવવામાં આવે છે. જો સિલિકોન નમૂનામાં પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms}/m^3$ હોય,તો સિલિકોનમાં પ્રતિ ઘન સેન્ટિમીટર દીઠ એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા કેટલી હશે?

$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે $Si$ માં કઈ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

$P$-પ્રકારનો અર્ધવાહક .......

જો સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા અને હોલ્સની સાંદ્રતાનો ગુણોત્તર $\frac{7}{5}$ હોય અને પ્રવાહનો ગુણોત્તર $\frac{7}{4}$ હોય,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?