$p-n$ जंक्शन डायोड के मामले में,अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई:

  • A
    भारी डोपिंग के साथ घटती है
  • B
    रिवर्स बायसिंग द्वारा बढ़ती है
  • C
    हल्की डोपिंग के साथ घटती है
  • D
    फॉरवर्ड बायसिंग द्वारा बढ़ती है

Explore More

Similar Questions

अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई लगभग ....... होती है।

चित्र में दिखाए गए परिपथ के लिए,दो स्थितियों $(i)$ $V_A > V_B$ और (ii) $V_B > V_A$ के लिए बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच तुल्य प्रतिरोध क्रमशः $\qquad \Omega$ और $\qquad \Omega$ है। ($D_1$ और $D_2$ आदर्श डायोड हैं)

दिए गए परिपथ में,यदि डायोड के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.5\, V$ है,तो परिपथ में धारा.....$mA$ होगी।

Difficult
View Solution

एक $p-n$ जंक्शन डायोड के लिए, ब्रेकडाउन वोल्टेज तब होता है जब

एक $p-n$ जंक्शन डायोड की फॉरवर्ड बायस व्यवस्था में,

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo