આલેખ ચાર કણો $A, B, C, D$ માટે ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $(\lambda)$ વિરુદ્ધ $\frac{1}{\sqrt{V}}$ નો ફેરફાર દર્શાવે છે,જ્યાં '$V$' એ પ્રવેગક પોટેન્શિયલ છે. આ કણો સમાન વિદ્યુતભાર ધરાવે છે પરંતુ તેમના દળ $m_1, m_2, m_3, m_4$ છે. કયો કણ સૌથી વધુ દળ ધરાવે છે?

સ્ફટિક વિવર્તન પ્રયોગો $X-$કિરણો અથવા યોગ્ય વોલ્ટેજ દ્વારા પ્રવેગિત ઇલેક્ટ્રોનનો ઉપયોગ કરીને કરી શકાય છે. કયા પ્રોબ (probe) પાસે વધુ ઉર્જા છે? (પરિમાણાત્મક સરખામણી માટે,પ્રોબની તરંગલંબાઇ $1\,\mathring{A}$ લો,જે લેટીસમાં આંતર-પરમાણુ અંતરના ક્રમની છે) $(m_{e}=9.11 \times 10^{-31}\,kg)$

એક કણ $L$ લંબાઈના બોક્સમાં $x-$અક્ષ પર આગળ-પાછળ ગતિ કરે છે. ધારો કે કણ માટે ડી-બ્રોગ્લી ઉત્કલ્પના લાગુ પડે છે,અને તે બોક્સમાં અચળ ઝડપે ગતિ કરે છે અને દીવાલો સાથે સંપૂર્ણ સ્થિતિસ્થાપક અથડામણ કરે છે. કણના વેગમાનનું શક્ય મૂલ્ય શું છે? (નોંધ: $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે,$n$ એ મુખ્ય ક્વોન્ટમ આંક છે).

$1 \ kV$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત પ્રોટોન (વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$,દળ $= 1.67 \times 10^{-27} \ kg$) ની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ અવગણ્ય વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_1$ છે. તો ગુણોત્તર $\lambda : \lambda_1^2$ શું થશે? ($h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશનો વેગ,$m =$ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ)

નીચેના સાથે સંકળાયેલ દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?
$(a)$ $5.4 \times 10^{6} \; m/s$ ની ઝડપે ગતિ કરતો ઇલેક્ટ્રોન,અને
$(b)$ $30.0 \; m/s$ ની ઝડપે ગતિ કરતો $150 \; g$ દળનો દડો.