સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે અને તેમની વચ્ચે હવા માધ્યમ તરીકે છે. $3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે જેથી કેપેસીટન્સમાં $50 \%$ નો વધારો થાય છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબની જાડાઈ કેટલી હશે?

એક કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ રહેલો છે અને તે $D.C.$ સોર્સ સાથે જોડાયેલ છે. હવે બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થને દૂર કરવામાં આવે છે. કેપેસિટન્સ,તેમાં સંગ્રહિત ઉર્જા,વિદ્યુતક્ષેત્ર,સંગ્રહિત વિદ્યુતભાર અને વોલ્ટેજ વધશે,ઘટશે કે અચળ રહેશે તે જણાવો.

હવા ભરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $10 \, pF$ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં મીણ ભરવામાં આવે છે,જેનાથી કેપેસિટન્સનું નવું મૂલ્ય $40 \times 10^{-12} \, F$ થાય છે. મીણનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

હવામાં ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. બેટરીને ડિસ્કનેક્ટ કર્યા પછી,ઇન્સ્યુલેટેડ હેન્ડલનો ઉપયોગ કરીને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે છે. પરિણામે,પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત . . . . . . .

$40\,\mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા બે કેપેસીટર શ્રેણીમાં જોડેલા છે. એક કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચે $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક મટીરીયલ ભરવામાં આવે છે,જેથી તંત્રનું સમતુલ્ય કેપેસીટન્સ $24\,\mu F$ થાય છે. $K$ નું મૂલ્ય શોધો.

કયું વિધાન સાચું છે? એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલ છે. તેનો વિદ્યુતભાર,સ્થિતિમાન,વિદ્યુતક્ષેત્ર અને ઉર્જા અનુક્રમે ${Q_0}$,${V_0}$,${E_0}$ અને ${U_0}$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરવા માટે એક ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,અને બેટરી હજુ પણ જોડાયેલ છે. હવે સંબંધિત મૂલ્યો $Q$,$V$,$E$ અને $U$ શરૂઆતના મૂલ્યો સાથે કેવી રીતે સંબંધિત છે?