એક કણને $H$ ઊંચાઈ પરથી નીચે પાડવામાં આવે છે. કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ઊંચાઈ પર કેવી રીતે આધાર રાખે છે?

દ્રવ્ય સાથે તરંગ ક્યારે સંકળાયેલું હોય છે?

સ્ફટિક વિવર્તન પ્રયોગો $X-$કિરણો અથવા યોગ્ય વોલ્ટેજ દ્વારા પ્રવેગિત ઇલેક્ટ્રોનનો ઉપયોગ કરીને કરી શકાય છે. કયા પ્રોબ (probe) પાસે વધુ ઉર્જા છે? (પરિમાણાત્મક સરખામણી માટે,પ્રોબની તરંગલંબાઇ $1\,\mathring{A}$ લો,જે લેટીસમાં આંતર-પરમાણુ અંતરના ક્રમની છે) $(m_{e}=9.11 \times 10^{-31}\,kg)$

કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ એ:

એક ઇલેક્ટ્રોનને સ્થિર સ્થિતિમાંથી પ્રવેગિત કરવા માટે કરવામાં આવેલ કાર્ય,જેથી તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $6600 \text{ Å}$ થાય,તે આશરે કેટલું હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.6 \times 10^{-34} \text{ J s}$ અને ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \text{ kg}$)

જો એક ઇલેક્ટ્રોન અને એક ફોટોન સમાન તરંગલંબાઈ ધરાવતા તરંગોના સ્વરૂપમાં પ્રસરણ પામતા હોય,તો તેનો અર્થ એ છે કે તેઓ સમાન ધરાવે છે