$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં,એક્સેપ્ટર (Acceptor) ઊર્જાસ્તરો $E_A$ ક્યાં આવેલા હોય છે?

  • A
    વેલેન્સ બેન્ડ ઊર્જાસ્તર $E_V$ ની તદ્દન ઉપર.
  • B
    કન્ડકશન બેન્ડ ઊર્જાસ્તર $E_C$ ની તદ્દન નીચે.
  • C
    કન્ડકશન બેન્ડ $E_C$ અને વેલેન્સ બેન્ડ $E_V$ ની બરાબર મધ્યમાં.
  • D
    કન્ડકશન બેન્ડ $E_C$ અને વેલેન્સ બેન્ડ $E_V$ બંનેની નજીક.

Explore More

Similar Questions

એક શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર ક્રિસ્ટલમાં $8 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ છે. તેમાં $2 \text{ ppm}$ સાંદ્રતાના પેન્ટાવેલેન્ટ પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. સેમિકન્ડક્ટર ક્રિસ્ટલમાં બનતા હોલ્સની સંખ્યા શોધો (ઇન્ટ્રિન્સિક કેરિયર સાંદ્રતા,$n_i = 1 \times 10^{16} \text{ m}^{-3}$).

જર્મેનિયમમાં એલ્યુમિનિયમની સાંદ્રતા $\sim 10^{21} \text{ atoms}/m^3$ છે. શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $\sim 10^{19} /m^3$ છે. અશુદ્ધિ ઉમેર્યા પછી,ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

Difficult
View Solution

શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં $p$-પ્રકારનો અર્ધવાહક મેળવવા માટે કયા પ્રકારની અશુદ્ધિ ઉમેરવી જોઈએ?

એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં એનર્જી ગેપ $E_{g}$ એ $1.2 \; eV$ છે. તેની હોલ મોબિલિટી ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી કરતા ઘણી ઓછી છે અને તાપમાનથી સ્વતંત્ર છે. $600 \; K$ અને $300 \; K$ તાપમાને વાહકતાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે? ધારો કે આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $n_{i}$ નું તાપમાન પરનું નિર્ભરતા $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $n_{0}$ એક અચળાંક છે.

એક સેમિકન્ડક્ટરને અશુદ્ધિ તરીકે ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે. સેમિકન્ડક્ટરમાં નિર્મિત અશુદ્ધિ સ્તરો કોની નજીક હોય છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo