સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યા $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરેલી છે. બાકીના અડધા ભાગમાં હવા છે. કેપેસિટરને $Q$ જેટલો વિદ્યુતભાર આપવામાં આવે છે. તો:

  • A
    ડાયઇલેક્ટ્રિકથી ભરેલા વિસ્તારમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર હવાવાળા વિસ્તાર કરતા વધારે છે
  • B
    નીચેની પ્લેટના બે અડધા ભાગો પર વિદ્યુતભાર ઘનતા અસમાન છે
  • C
    હવાવાળા ભાગની ઉપરની પ્લેટના અડધા ભાગ પરનો વિદ્યુતભાર $\frac{Q}{K+1}$ છે
  • D
    ઉપર દર્શાવેલ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $\frac{(1+K) C_{0}}{2}$ છે, જ્યાં $C_{0}$ એ ડાયઇલેક્ટ્રિક દૂર કર્યા પછી સમાન કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ છે.

Explore More

Similar Questions

$200 \,\mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $200 \,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જ્યારે બેટરી જોડાયેલી રહે છે,ત્યારે કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચે $2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરમાં સ્થિત વિદ્યુત ઊર્જામાં થતો ફેરફાર ...... $J$ હશે.

કેપેસિટરમાં ડાયઇલેક્ટ્રિકનું કાર્ય શું છે?

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $1.0 \text{ pF}$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે, તો કેપેસિટન્સ $2.0 \text{ pF}$ થાય છે. તો ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક . . . . . . છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_0$ છે. જો સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\varepsilon_r$ અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતરના ચોથા ભાગ જેટલી જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ $C$ થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{C}{C_0}$ શોધો.

એક કેપેસિટરને ચાર્જ કર્યા પછી બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો સાચું વિધાન પસંદ કરો.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo