$PN-$ जंक्शन के फॉरवर्ड बायसिंग के मामले में,निम्नलिखित में से कौन सा चित्र आवेश वाहकों (charge carriers) के प्रवाह की दिशा को सही ढंग से दर्शाता है?

अवक्षय परत (depletion layer) में विभव प्राचीर (potential barrier) किसके कारण होता है?

एक अनबायस्ड $n-p$ जंक्शन में,इलेक्ट्रॉन $n-$ क्षेत्र से $p-$ क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं क्योंकि

चित्र में दिखाए अनुसार एक $2 \ V$ की सेल को बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच जोड़ा गया है। मान लीजिए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध फॉरवर्ड बायस में शून्य और रिवर्स बायस में अनंत है। सेल द्वारा आपूर्ति की गई धारा है ($A$ में)

दिए गए परिपथ के अनुसार,बैटरी से प्रवाहित होने वाली धारा का मान $\dots \; A$ होगा।

नीचे दिए गए परिपथ आरेख में दिखाए गए आदर्श $PN-$ जंक्शन डायोड से होकर बहने वाली धारा .......$mA$ होगी।