ફોટોસેલનો એનોડ વોલ્ટેજ અચળ રાખવામાં આવે છે. કેથોડ પર પડતા પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $\lambda$ ને ક્રમશઃ બદલવામાં આવે છે. ફોટોસેલનો પ્લેટ પ્રવાહ $I$ નીચે મુજબ બદલાય છે:

ફોટો ઈલેક્ટ્રીક અસરના પ્રયોગમાં,ત્રણ જુદી જુદી ધાતુની પ્લેટો $p, q$ અને $r$ ના કાર્ય વિધેય અનુક્રમે $\phi_p = 2.0 \ eV, \phi_q = 2.5 \ eV$ અને $\phi_r = 3.0 \ eV$ છે. આપાત પ્રકાશના કિરણોની તરંગલંબાઈ $\lambda_p = 550 \ nm, \lambda_q = 450 \ nm$ અને $\lambda_r = 350 \ nm$ છે. દરેક પ્લેટ માટે પ્રકાશની તીવ્રતા સમાન છે. પ્રયોગ માટેનો સાચો $I-V$ આલેખ કયો છે? $[hc = 1240 \ eV \ nm]$

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$800 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ $1 \ nm$ ની લઘુત્તમ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. તો પ્રયોગમાં વપરાયેલ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)?

બે ઇલેક્ટ્રોન સમાન ઝડપ $v$ થી ગતિ કરી રહ્યા છે. એક ઇલેક્ટ્રોન સમાન વિદ્યુતક્ષેત્રના વિસ્તારમાં પ્રવેશે છે,જ્યારે બીજો ઇલેક્ટ્રોન સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રના વિસ્તારમાં પ્રવેશે છે. જો થોડા સમય પછી બંનેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ ${\lambda _1}$ અને ${\lambda _2}$ હોય,તો:

વિધાન $(A)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર પ્રકાશની તરંગ પ્રકૃતિ દર્શાવે છે.
કારણ $(R)$: ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા પ્રકાશની આવૃત્તિના સમપ્રમાણમાં હોય છે.

એક મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે. મહત્તમ ગતિ ઊર્જા સાથે બિંદુ $A$ થી પ્લેટને લંબ રૂપે ઉત્સર્જિત થયેલ એક ઇલેક્ટ્રોન,ઇલેક્ટ્રોનના પ્રારંભિક વેગને લંબ એવા અચળ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં પ્રવેશ કરે છે. ઇલેક્ટ્રોન એક વળાંકમાંથી પસાર થાય છે અને બિંદુ $B$ પર પ્લેટને પાછું અથડાય છે. $A$ અને $B$ વચ્ચેનું અંતર કેટલું છે? (આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોન પરના ચાર્જનું મૂલ્ય $e$ છે અને દળ $m$ છે,$h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે. ચુંબકીય ક્ષેત્ર ઇલેક્ટ્રોનના સમગ્ર માર્ગ પર અસ્તિત્વ ધરાવે છે તેમ માનો.)